Կիսահաղորդիչների էլեկտրոնային բաղադրիչներ TPS7A5201QRGRRQ1 Ic չիպսեր BOM ծառայություն Մեկ տեղում գնել
Ապրանքի հատկանիշներ
| ՏԻՊ | ՆԿԱՐԱԳՐՈՒԹՅՈՒՆ |
| Կարգավիճակ | Ինտեգրված սխեմաներ (IC) |
| Մֆր | Texas Instruments |
| Սերիա | Ավտոմեքենաներ, AEC-Q100 |
| Փաթեթ | Կասետային և կոճ (TR) Կտրված ժապավեն (CT) Digi-Reel® |
| SPQ | 3000T&R |
| Ապրանքի կարգավիճակը | Ակտիվ |
| Ելքի կոնֆիգուրացիա | Դրական |
| Ելքի տեսակը | Կարգավորելի |
| Կարգավորողների թիվը | 1 |
| Լարման - մուտքային (առավելագույն) | 6.5 Վ |
| Լարման - ելքային (նվազագույն/ֆիքսված) | 0.8 Վ |
| Լարման - ելքային (առավելագույն) | 5.2 Վ |
| Լարման անկում (առավելագույնը) | 0.3V @ 2A |
| Ընթացիկ - Արդյունք | 2A |
| PSRR | 42dB ~ 25dB (10kHz ~ 500kHz) |
| Կառավարման առանձնահատկություններ | Միացնել |
| Պաշտպանության առանձնահատկությունները | Ջերմաստիճանի գերազանցում, հակադարձ բևեռականություն |
| Գործառնական ջերմաստիճան | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Մոնտաժման տեսակը | Մակերեւութային լեռ |
| Փաթեթ / պատյան | 20-VFQFN բաց պահոց |
| Մատակարարի սարքի փաթեթ | 20-VQFN (3.5x3.5) |
| Հիմնական արտադրանքի համարը | TPS7A5201 |
Չիպսերի ակնարկ
(i) Ինչ է չիպը
Ինտեգրված սխեման, որը կրճատվել է որպես IC;կամ միկրոսխեմա, միկրոչիպ, չիպը էլեկտրոնիկայի մեջ սխեմաների (հիմնականում կիսահաղորդչային սարքերի, բայց նաև պասիվ բաղադրիչների և այլն) մանրացման միջոց է և հաճախ արտադրվում է կիսահաղորդչային վաֆլիների մակերեսի վրա:
(ii) Չիպերի արտադրության գործընթաց
Չիպերի արտադրության ամբողջական գործընթացը ներառում է չիպերի ձևավորում, վաֆլի արտադրություն, փաթեթի պատրաստում և փորձարկում, որոնց թվում վաֆլի պատրաստման գործընթացը հատկապես բարդ է:
Առաջինը չիպի դիզայնն է, ըստ նախագծման պահանջների՝ առաջացած «նախշը», չիպի հումքը վաֆլանն է։
Վաֆլը պատրաստված է սիլիցիումից, որը զտված է քվարց ավազից։Վաֆերը մաքրված սիլիցիումի տարրն է (99,999%), այնուհետև մաքուր սիլիցիումը վերածվում է սիլիցիումի ձողերի, որոնք դառնում են նյութ ինտեգրալ սխեմաների համար քվարցային կիսահաղորդիչների արտադրության համար, որոնք կտրատվում են վաֆլիների մեջ՝ չիպերի արտադրության համար:Որքան բարակ է վաֆլի, այնքան ցածր է արտադրության ինքնարժեքը, բայց ավելի պահանջկոտ է գործընթացը։
Վաֆլի ծածկույթ
Վաֆլի ծածկույթը դիմացկուն է օքսիդացման և ջերմաստիճանի դիմադրությանը և ֆոտոռեսիստի տեսակ է:
Վաֆլի ֆոտոլիտոգրաֆիայի մշակում և փորագրում
Ֆոտոլիտոգրաֆիայի գործընթացի հիմնական հոսքը ներկայացված է ստորև ներկայացված դիագրամում:Նախ, վաֆլի (կամ ենթաշերտի) մակերեսին կիրառվում է ֆոտոռեզիստենտի շերտ և չորանում:Չորացնելուց հետո վաֆլը տեղափոխվում է լիտոգրաֆիկ սարք։Լույսն անցնում է դիմակի միջով, որպեսզի դիմակի վրայի նախշը հայտնվի վաֆլի մակերևույթի ֆոտոռեզիստենտի վրա՝ հնարավորություն տալով մերկացմանը և խթանելով ֆոտոքիմիական ռեակցիան:Այնուհետև բացված վաֆլիները թխվում են երկրորդ անգամ, որը հայտնի է որպես հետզտվող թխում, որտեղ ֆոտոքիմիական ռեակցիան ավելի ամբողջական է:Ի վերջո, մշակողը ցողվում է վաֆլի մակերևույթի վրա գտնվող ֆոտոռեզիստորի վրա՝ բացված նախշը մշակելու համար:Մշակումից հետո դիմակի նախշը մնում է ֆոտոռեսիստի վրա:
Սոսնձումը, թխումը և մշակումը կատարվում են քերծվածքի մշակման մեջ, իսկ լուսաբանումը կատարվում է ֆոտոլիտոգրաֆում:Ծածկույթի մշակողը և լիտոգրաֆիայի մեքենան, ընդհանուր առմամբ, աշխատում են գծով, իսկ վաֆլիները փոխանցվում են ագրեգատների և մեքենայի միջև ռոբոտի միջոցով:Ամբողջ ազդեցության և զարգացման համակարգը փակ է, և վաֆլիները ուղղակիորեն չեն ենթարկվում շրջակա միջավայրին, որպեսզի նվազեցնեն շրջակա միջավայրի վնասակար բաղադրիչների ազդեցությունը ֆոտոդիմացկուն և ֆոտոքիմիական ռեակցիաների վրա:
Դոպինգ կեղտերով
Վաֆլի մեջ իոնների իմպլանտացիա՝ համապատասխան P և N տիպի կիսահաղորդիչներ ստանալու համար:
Վաֆլի փորձարկում
Վերոնշյալ գործընթացներից հետո վաֆլի վրա ձևավորվում է զառերի վանդակ:Յուրաքանչյուր ձողի էլեկտրական բնութագրերը ստուգվում են՝ օգտագործելով քորոցային թեստ:
Փաթեթավորում
Արտադրված վաֆլիները ամրացվում են, կապվում են կապում և պատրաստվում են տարբեր փաթեթների՝ ըստ պահանջների, այդ իսկ պատճառով նույն չիպային միջուկը կարող է փաթեթավորվել տարբեր ձևերով:Օրինակ՝ DIP, QFP, PLCC, QFN և այլն:Այստեղ այն հիմնականում որոշվում է օգտագործողի կիրառման սովորություններով, կիրառական միջավայրով, շուկայական ձևաչափով և այլ ծայրամասային գործոններով։
Փորձարկում, փաթեթավորում
Վերոնշյալ գործընթացից հետո չիպերի արտադրությունն ավարտված է:Այս քայլը չիպի փորձարկումն է, թերի արտադրանքները հեռացնելն ու փաթեթավորելը:
Վաֆլի և չիպսերի հարաբերությունները
Չիպը կազմված է մեկից ավելի կիսահաղորդչային սարքերից:Կիսահաղորդիչները հիմնականում դիոդներ են, տրիոդներ, դաշտային ազդեցության խողովակներ, փոքր հզորության դիմադրիչներ, ինդուկտորներ, կոնդենսատորներ և այլն:
Դա ատոմային միջուկում ազատ էլեկտրոնների կոնցենտրացիան շրջանաձև հորատանցքում փոխելու համար տեխնիկական միջոցների օգտագործումն է՝ ատոմային միջուկի ֆիզիկական հատկությունները փոխելու համար՝ բազմաթիվ (էլեկտրոնների) կամ քչերի (անցքերի) դրական կամ բացասական լիցք առաջացնելու համար։ ձևավորել տարբեր կիսահաղորդիչներ:
Սիլիցիումը և գերմանիումը սովորաբար օգտագործվում են կիսահաղորդչային նյութեր, և դրանց հատկություններն ու նյութերը հեշտությամբ հասանելի են մեծ քանակությամբ և ցածր գնով այս տեխնոլոգիաներում օգտագործելու համար:
Սիլիկոնային վաֆլը կազմված է մեծ թվով կիսահաղորդչային սարքերից:Կիսահաղորդչի ֆունկցիան, իհարկե, անհրաժեշտության դեպքում շղթա կազմելն է և սիլիկոնային վաֆլի մեջ գոյություն ունենալը:
