IC չիպի ձախողման վերլուծություն

IC չիպի ձախողման վերլուծություն,ICչիպերի ինտեգրալ սխեմաները չեն կարող խուսափել ձախողումներից մշակման, արտադրության և օգտագործման գործընթացում:Արտադրանքի որակի և հուսալիության նկատմամբ մարդկանց պահանջների բարելավման հետ մեկտեղ խափանումների վերլուծության աշխատանքները դառնում են ավելի ու ավելի կարևոր:Չիպերի ձախողման վերլուծության միջոցով դիզայներների IC չիպը կարող է հայտնաբերել դիզայնի թերություններ, տեխնիկական պարամետրերի անհամապատասխանություններ, ոչ պատշաճ ձևավորում և շահագործում և այլն: Խափանումների վերլուծության նշանակությունը հիմնականում դրսևորվում է.

Մանրամասն, հիմնական նշանակությունըICչիպի ձախողման վերլուծությունը ցուցադրվում է հետևյալ ասպեկտներով.

1. Խափանումների վերլուծությունը կարևոր միջոց և մեթոդ է IC չիպերի ձախողման մեխանիզմը որոշելու համար:

2. Սխալների վերլուծությունը անհրաժեշտ տեղեկատվություն է տալիս անսարքությունների արդյունավետ ախտորոշման համար:

3. Խափանումների վերլուծությունը դիզայներներին ապահովում է չիպի դիզայնի շարունակական բարելավում և կատարելագործում` դիզայնի բնութագրերի կարիքները բավարարելու համար:

4. Անհաջողության վերլուծությունը կարող է գնահատել տարբեր թեստային մոտեցումների արդյունավետությունը, ապահովել արտադրության փորձարկման համար անհրաժեշտ հավելումներ և անհրաժեշտ տեղեկատվություն տրամադրել թեստավորման գործընթացի օպտիմալացման և ստուգման համար:

Անհաջողության վերլուծության հիմնական քայլերն ու բովանդակությունը.

◆ Ինտեգրված սխեմայի ապափաթեթավորում. Ինտեգրված սխեման հեռացնելիս պահպանեք չիպի գործառույթի ամբողջականությունը, պահպանեք մատիտը, կապակցման վահանակները, կապալարերը և նույնիսկ կապարի շրջանակը և պատրաստվեք չիպի անվավերացման վերլուծության հաջորդ փորձին:

◆SEM սկանավորող հայելի/EDX կազմի վերլուծություն՝ նյութի կառուցվածքի վերլուծություն/թերության դիտարկում, տարրի կազմի սովորական միկրոտարածքի վերլուծություն, կազմի չափի ճիշտ չափում և այլն։

◆Զոնդի փորձարկում. էլեկտրական ազդանշանը ներսումICկարելի է արագ և հեշտությամբ ձեռք բերել միկրոզոնդի միջոցով:Լազեր: Միկրոլազերը օգտագործվում է չիպի կամ մետաղալարերի վերին հատուկ տարածքը կտրելու համար:

◆EMMI հայտնաբերում. EMMI ցածր լույսի մանրադիտակը բարձր արդյունավետության անսարքության վերլուծության գործիք է, որն ապահովում է բարձր զգայունության և ոչ կործանարար անսարքության տեղորոշման մեթոդ:Այն կարող է հայտնաբերել և տեղայնացնել շատ թույլ լուսարձակումը (տեսանելի և մոտ ինֆրակարմիր) և բռնել արտահոսքի հոսանքները, որոնք առաջանում են տարբեր բաղադրիչների թերությունների և անոմալիաների պատճառով:

◆OBIRCH կիրառում (լազերային ճառագայթով պայմանավորված դիմադրության արժեքի փոփոխության փորձարկում). OBIRCH-ը հաճախ օգտագործվում է ներսում բարձր դիմադրողականության և ցածր դիմադրության վերլուծության համար ICչիպսեր և գծի արտահոսքի ուղիների վերլուծություն:Օգտագործելով OBIRCH մեթոդը, սխեմաների թերությունները կարող են արդյունավետորեն տեղակայվել, ինչպիսիք են գծերի անցքերը, անցքերի տակ գտնվող անցքերը և անցքերի ստորին մասում բարձր դիմադրողականության տարածքները:Հետագա լրացումներ.

◆ LCD էկրանի թեժ կետի հայտնաբերում. օգտագործեք LCD էկրանը՝ IC-ի արտահոսքի կետում մոլեկուլային դասավորությունը և վերակազմավորումը հայտնաբերելու համար և ցուցադրեք բծաձև պատկեր, որը տարբերվում է մանրադիտակի տակ գտնվող այլ տարածքներից՝ արտահոսքի կետը գտնելու համար (անսարքության կետը ավելի մեծ է, քան 10 մԱ), որը կխանգարի դիզայներին իրական վերլուծության մեջ:Ֆիքսված/ոչ ֆիքսված կետով չիպերի մանրացում. հեռացրեք ոսկյա բշտիկները, որոնք տեղադրվել են LCD վարորդի չիպի բարձիկի վրա, այնպես, որ բարձիկը ամբողջությամբ չվնասվի, ինչը նպաստում է հետագա վերլուծության և կապակցման համար:

◆ Ռենտգենյան ոչ կործանարար փորձարկում. Հայտնաբերել տարբեր թերություններ ICչիպերի փաթեթավորումը, ինչպիսիք են կլեպը, պայթելը, դատարկությունները, լարերի ամբողջականությունը, PCB-ն կարող է ունենալ որոշ թերություններ արտադրական գործընթացում, ինչպիսիք են վատ դասավորվածությունը կամ կամրջումը, բաց միացումը, կարճ միացումը կամ աննորմալությունը Միացումների թերությունները, փաթեթների մեջ զոդման գնդիկների ամբողջականությունը:

◆SAM (SAT) ուլտրաձայնային թերությունների հայտնաբերումը կարող է ոչ կործանարար կերպով հայտնաբերել կառուցվածքը ներսումICչիպային փաթեթավորում և արդյունավետորեն հայտնաբերում է խոնավության և ջերմային էներգիայի հետևանքով առաջացած տարբեր վնասներ, ինչպիսիք են O վաֆլի մակերեսի շերտավորումը, O զոդման գնդիկները, վաֆլիները կամ լցոնիչները: Փաթեթավորման նյութի մեջ կան բացեր, փաթեթավորման նյութի ներսում ծակոտիներ, տարբեր անցքեր, ինչպիսիք են վաֆլի կապող մակերեսները: , զոդման գնդիկներ, լցոնիչներ և այլն։